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致态TiPlus5000 1T M.2固态硬盘读写性能测试

致态TiPlus5000 1T M.2固态硬盘读写性能测试
致态TiPlus5000采用基于晶栈Xtacking 2.0架构的长江存储第三代三维闪存芯片,可实现在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元,使NAND拥有更高的I/O接口速度,单颗闪存芯片接口速度高达1600 MB/s,写入寿命持久,2TB高达1200 TBW。SLC Cache智能缓存是加速固态硬盘读写性
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